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PRODUCT

GMF

GMF 사업부

  • GOLD
  • NI-P
  • Sn
  • COPPER
  • Cr
  • E/T NI
  • 휴대폰 및 가전제품 표면처리
  • 휴대폰 통신관련 부품 표면처리 (GOLD, NI-P, SN, Copper, Cr+3, E/T Ni)
  • 일반 가전부품 표면처리 (E/T Ni ,Copper ,Cr)
  • 장식품, Accessory 도금 (Au, Ag, Cu , Cr+3)

GMF 약품 소개

PHT Process (이온 타입)

품 명약품명비율(%)온도/시간관리 범위특 징
YSP-902
(Cleaner & Conditioner)
YSP-902
NaOH(98%)
4.5
1
35 ~ 45℃ (40)
3 ~ 5 분
NaOH 농도 : 8 g/L
YSP-902 : 45 ml/L

1. 미세한 동 산화피막까지 제거
2. Cleaning 효과 우수
3. Conditioner 성능까지 있음
YSP-370
(Soft etch)
H2SO4(61%)
YSP-370
H2O2(35%)
1.0
5.0
6.7
30 ~ 40℃ (35)
1 ~ 3 분
H2SO4 : 150 ~ 180 g/L
H2O2 : 70 ~ 90 g/L
동 농도 : 하계 50 g/L 이하, 동계 40g/L 이하
1. 동박표면과 무전해동 피막의 밀착력 향상
2. 균일한 조도를 나타냄
YSP-470PD
(Pre-dip)
H2SO4 (61%)
YSP-470PD
0.1
1.0
20 ~ 30℃ (25)
0.5 초 ~ 1분
작업량에 따른 보충
500M2B ⇒ YSP470PD 1.5L 보충
1. S/E후 발생한 산화막 제거
2. Pd 흡착을 위해 습윤성 부여함
YSP-470
(Activator)
NaOH(98%)
YSP-470
H3BO3
0.5
5.2
0.5
35 ~ 45℃ (40) 
4 ~ 5 분
Pd농도 : 150 ~ 200 mg/L
pH : 10.0 ~ 11.5
동 농도 : 500 mg/L
1. 동박 표면에 Palladium 흡착
YSP-570
(Reducer)
H3BO3
YSP-570
0.5
0.5
20 ~ 30 ℃ (25)
3 ~ 5 분
YSP-570 농도 : 4.0 ~ 6.0 ml/L      1. 금속 Palladium으로 전환
YSP-880
(Thin Cu)
YSP-880 M
YSP-880 A
YSP-880 B
12.0
6.5
3.0
24 ~ 30 ℃ 
16 ~ 20 분

도금두께 :  0.3 ~ 0.5 ㎛ (0.4)

NaOH : 7.0 ~ 10.0 g/L (8.5)

NCHO : 4.5 ~ 8.0 g/L (5.5)

Cu : 1.6 ~ 2.2 g/L (1.9)

1. 균일한 피막을 얻을 수 있다
2, 스루홀 내의 피복력이 양호하다
3. 파인 패턴에 대응할 수 있다
YSP-890
(Heavy Cu)
YSP-890 M
25% NaOH
YSP-890S
37% HCHO
11.0
3.7
0.3
0.87
40 ~ 50℃ 
25 ~ 30 분
도금두께 : 2 ~ 3 
NaOH : 8.0 ~ 13.0 g/L (10.5)
HCHO : 2.5 ~ 3.5 g/L (3.0)
Cu : 2.5 ~ 3.1 g/L (2.8)

1. 전기도금과 동등한 신뢰성
2, 스루홀 내의 피복력이 양호하다
3. 파인 패턴에 대응할 수 있다